Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit Seitenwandoxidation

WO0167498 Art A1 13. September 2001

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0167498
Aktenzeichen: EP01913679
Anmeldetag: 16. Februar 2001
Veröffentlichung: 13. September 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/336H01L29/423H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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