Methode zur Herstellung Beinahe Planarer Dielektrischer Schichten in Integrierten Schaltungen

WO0167500 Art A2 13. September 2001

Anmelder: Micron Technology, Inc., Juengling, Werner 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0167500
Aktenzeichen: EP01922292
Anmeldetag: 7. März 2001
Veröffentlichung: 13. September 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Micron Technology, Inc.
Juengling, Werner
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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