Mosfet mit Lateralem Asymmetrisch Schwach Dotiertem Drain
WO0171804
Art A2
27. September 2001
Anmelder: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0171804
- Aktenzeichen
- EP01920435
- Anmeldetag
- 16. März 2001
- Veröffentlichung
- 27. September 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Board of Trustees of the University of Illinois
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