Method for the production of silicon carbide (sic) layers by means of ionic implantation of carbon and anneals

WO0172104 Art A1 4. Oktober 2001

Anmelder: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS, Universidad de Barcelona 🇪🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0172104
Aktenzeichen: EP01919453
Anmeldetag: 30. März 2001
Veröffentlichung: 4. Oktober 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

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Anmelder

Firmen: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS
Universidad de Barcelona
Land: 🇪🇸 Spanien

🇪🇸 Consejo Superior de Investigaciones Científicas

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