Verfahren zur Herstellung von Flachen Übergangen in Halbleiterwafern durch Stickstoff-Implantierung

WO0180295 Art A1 25. Oktober 2001

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0180295
Aktenzeichen: EP01928575
Anmeldetag: 16. April 2001
Veröffentlichung: 25. Oktober 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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