Silicon single-crystal wafer, method for producing silicon single crystal, and method for fabricating silicon single-crystal wafer

WO0181661 Art A1 1. November 2001

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0181661
Aktenzeichen: EP01921880
Anmeldetag: 18. April 2001
Veröffentlichung: 1. November 2001
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/00H01L29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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