Leistungshalbleiteranordnung mit einer Graben-Gateelektrode und Verfahren zu deren Herstellung

WO0182380 Art A2 1. November 2001

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0182380
Aktenzeichen: EP01920250
Anmeldetag: 8. März 2001
Veröffentlichung: 1. November 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/739H01L21/331H01L29/745H01L21/332

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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