Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

WO0188979 Art A2 22. November 2001

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0188979
Aktenzeichen: EP01933614
Anmeldetag: 20. April 2001
Veröffentlichung: 22. November 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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