Polysilizium-Seitenwand mit Silizidbildung zur Herstellung von Hochleistungs-Mosfets
WO0188991
Art A2
22. November 2001
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0188991
- Aktenzeichen
- EP01928570
- Anmeldetag
- 16. April 2001
- Veröffentlichung
- 22. November 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Vertreten von
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