Method for growing single crystal and apparatus for producing single crystal, and silicon single crystal produced by the method

WO0192610 Art A1 6. Dezember 2001

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0192610
Aktenzeichen: EP01932320
Anmeldetag: 29. Mai 2001
Veröffentlichung: 6. Dezember 2001
Rechtsraum: WO
IPC: C30B15/22C30B29/06H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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