Platinum electrode structure for semiconductor and method for enhancing adhesion between semiconductor substrate and platinum electrode

WO0193320 Art A1 6. Dezember 2001

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0193320
Aktenzeichen: EP00935691
Anmeldetag: 1. Juni 2000
Veröffentlichung: 6. Dezember 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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