Bauelement mit einem Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung

WO0193335 Art A1 6. Dezember 2001

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0193335
Aktenzeichen: EP01944965
Anmeldetag: 31. Mai 2001
Veröffentlichung: 6. Dezember 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L23/00H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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