Feldeffekttransistor mit Vergrabenem Invertierten Gate (bigfet)
WO0197290
Art A2
20. Dezember 2001
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0197290
- Aktenzeichen
- EP01944646
- Anmeldetag
- 6. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 20. Dezember 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/423H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
2.407 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.