Vertical Channel Floating Gate Transistor Having Silicon Germanium Channel Layer

WO0197292 Art A1 20. Dezember 2001

Anmelder: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0197292
Aktenzeichen: EP01948403
Anmeldetag: 15. Juni 2001
Veröffentlichung: 20. Dezember 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/788

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of Texas System

US-amerikanischer Universitätsverbund mit Sitz in Austin, Texas, bestehend aus mehreren Hochschulen und medizinischen Zentren. Der University of Texas System ist in Forschung zu Medizin, Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Biotechnologie aktiv.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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