Verfahren zum Ätzen eines Tiefen Grabens mit Reduziertem Aufbau von Schwarzem Silizium
WO0199159
Art A2
27. Dezember 2001
Anmelder: Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0199159
- Aktenzeichen
- EP01948506
- Anmeldetag
- 20. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 27. Dezember 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies North America Corp.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Infineon Technologies North America
Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.
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