Etching method

WO0201619 Art A1 3. Januar 2002

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0201619
Aktenzeichen: EP01941244
Anmeldetag: 26. Juni 2001
Veröffentlichung: 3. Januar 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/312H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

18.204 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von