Mosfet and method for fabrication of mosfet with buried gate

WO0201645 Art A1 3. Januar 2002

Anmelder: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0201645
Aktenzeichen: EP01946503
Anmeldetag: 18. Juni 2001
Veröffentlichung: 3. Januar 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 International Rectifier

International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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