Verfahren und Niedrigspannungs-Schaltkreis zur Erzeugung einer Hochgenauen Drain-Spannung für Flash-Speicherzellen im Lesebetrieb
WO0203392
Art A2
10. Januar 2002
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0203392
- Aktenzeichen
- EP01946444
- Anmeldetag
- 15. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 10. Januar 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C16/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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