N-Typ Nitridhalbleiterschichtstruktur und Halbleitervorrichtung mit einer Solchen Schichtstruktur
WO0203474
Art A2
10. Januar 2002
Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0203474
- Aktenzeichen
- EP01945741
- Anmeldetag
- 2. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 10. Januar 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nichia Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nichia
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
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