Verfahren zur Herstellung eines mit Verminderten Aspektverhältnis Aufweisenden Bit-Leitungkontaktes in einer Dram-Speicheranordnung

WO02058109 Art A2 25. Juli 2002

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02058109
Aktenzeichen: EP02709030
Anmeldetag: 15. Januar 2002
Veröffentlichung: 25. Juli 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01M2/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von