Herstellungsverfahren eines Halbleitergehäuses und Halbleiter-Ic-Gehäuse

WO02058131 Art A1 25. Juli 2002

Anmelder: STMicroelectronics S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02058131
Aktenzeichen: EP02701319
Anmeldetag: 21. Januar 2002
Veröffentlichung: 25. Juli 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/50H01L23/055H01L23/498

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics S.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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