Magnetoresitive Speicheranordnung (mram) mit Selbstjustiertem Spacerverfahren

WO02063658 Art A2 15. August 2002

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02063658
Aktenzeichen: EP02709239
Anmeldetag: 1. Februar 2002
Veröffentlichung: 15. August 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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