Photoresist Veraschung mit O2 und NH3 für Organosilikatglass Anwendungen
WO02065513
Art A2
22. August 2002
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02065513
- Aktenzeichen
- EP02718907
- Anmeldetag
- 30. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 22. August 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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