Silicide Stop Layer in A Damascene Gate Semiconductor Structure
WO02065524
Art A1
22. August 2002
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02065524
- Aktenzeichen
- EP01273732
- Anmeldetag
- 13. November 2001
- Veröffentlichung
- 22. August 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
1.708 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.