Atomisch Dünne Barriereschicht mit Hohem Widerstand in einem Kupfer-Durchkontakt

WO02069380 Art A2 6. September 2002

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02069380
Aktenzeichen: EP02713680
Anmeldetag: 25. Februar 2002
Veröffentlichung: 6. September 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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