Vapor growth method for metal oxide dielectric film and pzt film

WO02073679 Art A1 19. September 2002

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02073679
Aktenzeichen: EP02702860
Anmeldetag: 11. März 2002
Veröffentlichung: 19. September 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316C23C16/40H01L21/8242H01L27/105H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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