Method for inspecting wafer, focused ion beam apparatus and transmission electron beam apparatus
WO02075806
Art A1
26. September 2002
Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02075806
- Aktenzeichen
- EP01912459
- Anmeldetag
- 16. März 2001
- Veröffentlichung
- 26. September 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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