Leistungshalbleiteranordnung mit einer Graben-Gateelektrode und Verfahren zu deren Herstellung

WO02078092 Art A1 3. Oktober 2002

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02078092
Aktenzeichen: EP02721291
Anmeldetag: 8. März 2002
Veröffentlichung: 3. Oktober 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/739H01L29/749H01L29/417H01L29/41H01L21/336H01L21/331H01L21/332

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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