Semiconductor device and method of crystal growth
WO02078144
Art A1
3. Oktober 2002
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02078144
- Aktenzeichen
- EP02705431
- Anmeldetag
- 22. März 2002
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01S5/323H01L21/203
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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