Vorrichtung oder Verfahren zum Abscheiden von insbesondere Kristallinen Schichten auf insbesondere Kristallinen Substraten aus De R Gasphase
Anmelder: AIXTRON AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02083978
- Aktenzeichen
- EP02716688
- Anmeldetag
- 26. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 24. Oktober 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/30C23C16/455C23C16/458
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- AIXTRON AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.
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Fachgebiete
Die Wuppertaler Kanzlei geht auf Johannes Rieder zurück, der schon vor dem ersten deutschen Patentanwaltsgesetz von 1900 als Berater für Erfinder tätig war. Mit über hundertjähriger Kontinuität am Standort zählt sie zu den traditionsreichsten Patentanwaltspraxen im Bergischen Land.