Hochgeschwindigkeitsschnittstelle mit Busschleife
WO02084428
Art A2
24. Oktober 2002
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02084428
- Aktenzeichen
- EP01273889
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2001
- Veröffentlichung
- 24. Oktober 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G06F1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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