A contact structure of a wires and method manufacturing the same, and thin film transistor substrate including the contact structure and method manufacturing the same
WO02089177
Art A2
7. November 2002
Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02089177
- Aktenzeichen
- EP02714592
- Anmeldetag
- 2. April 2002
- Veröffentlichung
- 7. November 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Samsung Electronics Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung Electronics
Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.
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