A contact structure of a wires and method manufacturing the same, and thin film transistor substrate including the contact structure and method manufacturing the same

WO02089177 Art A2 7. November 2002

Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO02089177
Aktenzeichen
EP02714592
Anmeldetag
2. April 2002
Veröffentlichung
7. November 2002
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Samsung Electronics Co., Ltd.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Samsung Electronics

Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.

71.734 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen