Method for manufacturing hetero junction bipolar transistor

WO0209189 Art A1 31. Januar 2002

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology, Telephus, Inc. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0209189
Aktenzeichen: EP00955152
Anmeldetag: 29. August 2000
Veröffentlichung: 31. Januar 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/737

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Korea Advanced Institute of Science and Technology
Telephus, Inc.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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