Verfahren zur Planarisierung einer Halbleiterstruktur
WO02093633
Art A1
21. November 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02093633
- Aktenzeichen
- EP02740592
- Anmeldetag
- 13. Mai 2002
- Veröffentlichung
- 21. November 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3105
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Barth, Stephan Manuel
München, Deutschland
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-
Barth, Stephan, Dr
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