Semiconductor integrated circuit device and production method thereof

WO02093635 Art A1 21. November 2002

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02093635
Aktenzeichen: EP02720531
Anmeldetag: 19. April 2002
Veröffentlichung: 21. November 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318H01L21/3205H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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