Halbleiterbauelement mit Zumindest einem Halbleiterchip auf einem als Substrat Dienenden Basischip und Verfahren zu dessen Herstellung

WO02095817 Art A2 28. November 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02095817
Aktenzeichen: EP02737842
Anmeldetag: 17. Mai 2002
Veröffentlichung: 28. November 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60H01L25/065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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