Applications of a strain-compensated heavily doped etch stop for silicon structure formation
WO02098788
Art A2
12. Dezember 2002
Anmelder: Honeywell International Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02098788
- Aktenzeichen
- EP02737302
- Anmeldetag
- 4. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 12. Dezember 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B81B3/00B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Honeywell International Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Honeywell
US-amerikanischer Mischkonzern mit Schwerpunkten in Luft- und Raumfahrttechnik, Automatisierungslösungen, Gebäudetechnik sowie Spezialchemikalien und -materialien für Industrie- und Verteidigungskunden.
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