Annealing method, ultra-shallow junction layer forming method and ultr-shallow junction layer forming device

WO02099862 Art A1 12. Dezember 2002

Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02099862
Aktenzeichen: EP02733262
Anmeldetag: 30. Mai 2002
Veröffentlichung: 12. Dezember 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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