Power Mosfet Having Enhanced Breakdown Voltage

WO02099909 Art A1 12. Dezember 2002

Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02099909
Aktenzeichen: EP02736453
Anmeldetag: 5. Juni 2002
Veröffentlichung: 12. Dezember 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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