Method of forming gallium-containing nitride bulk single crystal on heterogeneous substrate
WO02101126
Art A1
19. Dezember 2002
Anmelder: AMMONO Sp.z o.o., Nichia Corporation, Dwilinski, Robert 🇵🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02101126
- Aktenzeichen
- EP02733365
- Anmeldetag
- 6. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- AMMONO Sp.z o.o.
Nichia Corporation
Dwilinski, Robert - Land
- 🇵🇱 Polen
🇯🇵
Nichia
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
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