Soi-Mosfet mit Hyperabrupten Source- und Drain-Übergängen
WO02101811
Art A1
19. Dezember 2002
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02101811
- Aktenzeichen
- EP02720888
- Anmeldetag
- 31. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/265H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
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