Method for manufacture of semiconductor integrated circuit device

WO02101821 Art A1 19. Dezember 2002

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02101821
Aktenzeichen: EP02733357
Anmeldetag: 6. Juni 2002
Veröffentlichung: 19. Dezember 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/8238H01L21/8242H01L27/092H01L27/108H01L21/318

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von