Method of forming variable oxide thicknesses across semiconductor chips

WO02101823 Art A1 19. Dezember 2002

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02101823
Aktenzeichen: EP02734683
Anmeldetag: 31. Mai 2002
Veröffentlichung: 19. Dezember 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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