Production device for semiconductor single crystal and production method for semiconductor single crystal using it
WO02103092
Art A1
27. Dezember 2002
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO02103092
- Aktenzeichen
- EP02738662
- Anmeldetag
- 12. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 27. Dezember 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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