Method for manufacturing semiconductor device

WO02103763 Art A1 27. Dezember 2002

Anmelder: Renesas Technology Corp., Hitachi Hokkai Semiconductor, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02103763
Aktenzeichen: EP01938655
Anmeldetag: 14. Juni 2001
Veröffentlichung: 27. Dezember 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/50H01L21/68

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Technology Corp.
Hitachi Hokkai Semiconductor, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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