Structures and methods for a high-speed semiconductor device

WO02103801 Art A1 27. Dezember 2002

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO02103801
Aktenzeichen: EP02756239
Anmeldetag: 18. Juni 2002
Veröffentlichung: 27. Dezember 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/10H01L29/778H01L21/336H01L29/165H01L29/78H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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