Method for detecting completion of melting of polycrystalline silicone, method for setting temperature for contacting seed crystal with melt, and apparatus for producing silicon single crystal
WO0210486
Art A1
7. Februar 2002
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0210486
- Aktenzeichen
- EP01984426
- Anmeldetag
- 30. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 7. Februar 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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