Vapor phase deposition method for metal oxide dielectric film

WO0213251 Art A1 14. Februar 2002

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0213251
Aktenzeichen: EP01955593
Anmeldetag: 8. August 2001
Veröffentlichung: 14. Februar 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/8242H01L27/108C23C16/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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