Anwendung einer Gepulsten Spannung in einem Plasmareaktor

WO0215222 Art A2 21. Februar 2002

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0215222
Aktenzeichen: EP01965973
Anmeldetag: 17. August 2001
Veröffentlichung: 21. Februar 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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