Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, metho of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting
WO0217369
Art A1
28. Februar 2002
Anmelder: Showa Denko K.K. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0217369
- Aktenzeichen
- EP01958380
- Anmeldetag
- 17. August 2001
- Veröffentlichung
- 28. Februar 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Showa Denko K.K.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Showa Denko
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.
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