Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, metho of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting

WO0217369 Art A1 28. Februar 2002

Anmelder: Showa Denko K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO0217369
Aktenzeichen
EP01958380
Anmeldetag
17. August 2001
Veröffentlichung
28. Februar 2002
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/205H01L33/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Showa Denko K.K.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Showa Denko

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.

2.327 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen